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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4100C-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | MB81V4100C-60 |
6
MB81V4100C-60/MB81V4100C-70
I
DC CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 3
Parameter
Notes
Symbol
Conditions
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
Output high voltage
V
OH
I
OH
= –2 mA
2.4
—
—
V
Output low voltage
V
OL
I
OL
= 2 mA
—
—
0.4
Input leakage current (any input)
I
I(L)
0 V
≤
V
IN
≤
3.6 V;
3.0 V
≤
V
CC
≤
3.6 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
3.6 V;
Data out disabled
–10
—
10
μ
A
Output leakage current
I
O(L)
–10
—
10
Operating current
(Average power
supply current)
MB81V4100C-60
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
mA
MB81V4100C-70
Standby current
(Power supply
current)
LVTTL level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
—
mA
CMOS level
RAS = CAS
≥
V
CC
–0.2 V
Refresh current#1
(Average power
supply current)
MB81V4100C-60
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
mA
MB81V4100C-70
Fast page mode
current
MB81V4100C-60
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS cycling;
t
PC
= min.
—
—
mA
MB81V4100C-70
Refresh current#2
(Average power
supply current)
MB81V4100C-60
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min.
—
—
mA
MB81V4100C-70
Refresh current#3
(Average power
supply current)
MB81V4100C-60
I
CC9
RAS = V
IL
; CAS = V
IL
Self refresh;
t
RASS
= min.
—
—
1000
μ
A
MB81V4100C-70
1000
1
1
2
61
54
2.0
1.0
2
61
54
2
41
37
2
49
44
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB81V4100C-70 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB81V4260S-60 | CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB81V4260S-70 | CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB81V4265-60 | CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB81V4265-70 | CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB82 | 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類型:單相 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-SDIP |
| MB820 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8210 | 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk |
| MB82101BAN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
| MB82101BBN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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