參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V4100C-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 15/23頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： MB81V4100C-60
15
MB81V4100C-60/MB81V4100C-70
“H” or “ L”
HIGH-Z
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
Fig. 9 – FAST PAGE MODE WRITE CYCLE (Early Write)
DESCRIPTION
The fast page mode write cycle is executed by the same manner as fast page mode read cycle except for the state of WE.
The data on D
IN
pin is latched with the falling edge of CAS and written into the memory. During fast page mode write cycle, t
CWL
must be satisfied. Any of the 2048 bits belonging to each row can be accessed.
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CAS
WE
D
OUT
A
0
to A
10
D
IN
V
IH
V
IL
t
RASP
t
RHCP
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CAS
t
PC
t
CSH
t
CRP
t
ASC
t
CAS
t
RAH
t
ASR
t
CAH
t
ASC
t
RAL
t
WCS
t
RCD
t
RAD
t
ASC
t
CAH
t
CAL
t
CP
t
CAH
t
WCH
t
CWL
t
WCH
t
CWL
t
WCS
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
WP
t
WP
t
WP
t
RWL
t
DH
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB81V4100C-70 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4260S-60 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4260S-70 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265-60 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265-70 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB820 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:*
MB-8210 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk
MB82101BAN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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