參數(shù)資料
型號(hào)： MB81V4260S-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 256K × 16位快速頁面模式的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（的CMOS 256K × 16位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 18/28頁
文件大?。?/td> 360K
代理商： MB81V4260S-60
18
MB81V4260S-60/MB81V4260S-70
Fig. 10 – FAST PAGE MODE WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
A
0
to A
8
DESCRIPTION
The fast page mode write cycle is executed in the same manner as the fast page mode read cycle except the states of WE and OE
are reversed. Data appearing on the DQ
1
to DQ
8
is latched on the falling edge of LCAS and one appearing on the DQ
9
to DQ
16
is
latched on the falling edge of UCAS and the data is written into the memory. During the fast page mode write cycle, including the
delayed (OE) write and read-modify-write cycles, t
CWL
must be satisfied.
“H” or “L”
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
LCAS
or
UCAS
HIGH-Z
t
RASP
t
RCD
t
CP
t
CAS
t
CSH
t
PC
t
DHR
t
WCR
t
AR
t
CRP
t
CAS
t
CAS
t
RP
t
RSH
t
RHCP
t
CAH
t
RAL
t
CAH
t
ASC
t
ASR
t
ASC
t
ASC
t
CAH
t
RAH
t
RAD
t
CAL
t
WCH
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCL
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WCL
t
WP
t
DS
t
DH
t
WP
t
WP
t
DS
t
DS
t
DH
t
DH
t
RWL
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
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PDF描述
MB81V4260S-70 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265-60 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265-70 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-60 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-60L CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB82101BBN 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
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