參數(shù)資料
型號： MB81V4265-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 256K × 16位的CMOS超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 19/27頁
文件大小： 366K
代理商： MB81V4265-60
19
MB81V4265-60/-70
LCAS
or
UCAS
DESCRIPTION
The hyper page mode delayed write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode early write cycle except for
the states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the hyper
page mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 13 – HYPER PAGE MODE DELAYED WRITE CYCLE
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
“H” or “L”
HIGH-Z
t
RASP
t
RP
t
HPC
ROW
ADD
Invalid Data
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
AR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CWL
COL
ADD
COL
ADD
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
t
RWL
t
WCH
t
WP
t
CWL
t
WCH
t
RCS
t
WP
t
DZC
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
OED
t
ON
t
ON
t
OED
t
OEH
t
ON
t
DZO
t
OEZ
t
ON
t
OEZ
t
OEH
A
0
to A
8
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PDF描述
MB81V4265-70 CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-60 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-60L CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-70L CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB81V4265S-70 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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