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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4265-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 256K ×16BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256K × 16位的CMOS超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 12/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 366K |
| 代理商： | MB81V4265-70 |
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12
MB81V4265-60/-70
LCAS
or
UCAS
“H” or “L”
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is an “H” or “L” signal. A write cycle can be imple-
mented in either of three ways – early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters t
RWL
,
t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pins are latched with the
falling edge of LCAS or UCAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
A
0
to A
8
WE
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
COLUMN ADD
t
RC
t
RAS
LOW ADD
HIGH-Z
VALID DATA IN
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
AR
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DHR
t
DS
t
DH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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