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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4265S-70L |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 256K × 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 20/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 653K |
| 代理商： | MB81V4265S-70L |
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20
MB81V4265S-60/-70/-60L/-70L
LCAS
or
UCAS
Fig. 12 – HYPER PAGE MODE EARLY WRITE CYCLE
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
0
to A
8
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
“H” or “L”
ROW
ADD
HIGH-Z
DESCRIPTION
The hyper page mode early write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode read cycle except the states of
WE and OE are reversed. Data appearing on the DQ
1
to DQ
8
is latched on the falling edge of LCAS and one appearing on the
DQ
9
to DQ
16
is latched on the falling edge of UCAS and the data is written into the memory. During the hyper page mode early
write cycle, including the delayed (OE) write and read-modify-write cycles, t
CWL
must be satisfied.
t
RASP
t
RP
t
RHCP
During one cycle is achieved, the input/output timing apply the same manner as the former cycle.
t
CAS
t
HPC
t
CSH
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
CP
t
CAS
t
CAH
t
RAL
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
RAH
t
ASR
t
WCR
t
WCS
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
CWL
t
WCH
t
WCH
t
WCS
t
CWL
t
RWL
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DHR
COL
ADD
COL
ADD
COL
ADD
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
t
RHCP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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