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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81V4265S-70L |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 256K × 16位的超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 653K |
| 代理商： | MB81V4265S-70L |
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7
MB81V4265S-60/-70/-60L/-70L
I
DC CHARACTERISTICS
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Note 3
Parameter
Notes
Symbol
Condition
Value
Unit
Mn.
Max.
Std Power Low Power
—
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= –2.0 mA
2.4
—
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.0 mA
0 V
≤
V
IN
≤
3.6 V;
3.0 V
≤
V
CC
≤
3.6 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
0 V
≤
V
OUT
≤
3.6 V;
Data out disabled
—
0.4
0.4
Input Leakage Current (Any Input)
I
I(L)
–10
10
10
μ
A
Output Leakage Current
I
DQ(L)
–10
10
10
Operating Current
(Average Power
Supply Current)
*2
MB81V4265S
-60/60L
MB81V4265S
-70/70L
I
CC1
RAS, LCAS & UCAS
cycling;
t
RC
= min
—
mA
Standby Current
(Power Supply Current)
LVTTL Level
I
CC2
RAS = LCAS = UCAS =
V
IH
RAS = LCAS = UCAS
≥
V
CC
–0.2 V
—
2.0
mA
CMOS Level
1000
μ
A
Refresh Current #1
(Average Power
Supply Current)
*2
MB81V4265S
-60/60L
MB81V4265S
-70/70L
MB81V4265S
-60/60L
MB81V4265S
-70/70L
MB81V4265S
-60/60L
MB81V4265S
-70/70L
MB81V4265S
-60/60L
MB81V4265S
-70/70L
I
CC3
LCAS = UCAS = V
IH
,
RAS cycling;
t
RC
= min
—
mA
Hyper Page Mode
Current
*2
I
CC4
RAS = V
IL
, LCAS /
UCAS cycling;
t
HPC
= min
—
mA
Refresh Current #2
(Average Power
Supply Current)
*2
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min
—
mA
Refresh Current #3
(Average Power
Supply Current)
I
CC6
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= 125
μ
s, t
RAS
= min
to 1
μ
s, V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V
—
—
μ
A
—
—
Refresh Current #4
(Average Power
Supply Current)
I
CC9
RAS = V
IL
, CAS = V
IL
Self refresh;
t
RASS
= min
—
1000
250
μ
A
*1
*1
105
105
93
93
1.0
150
105
105
93
93
105
105
93
93
105
105
93
93
250
250
MB81V4265S
-60/60L
MB81V4265S
-70/70L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB81V4265S-70 | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4400C-60 | CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4400C-70 | CMOS 1M x 4 Bit Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M x 4位快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4405C-60 | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB81V4405C-70 | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB82 | 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 8A 200V BR-6 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 橋式整流器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 14/Mar/2011 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:- 電壓 - 峰值反向(最大):1000V 電流 - DC 正向(If):1.5A 二極管類(lèi)型:單相 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD 包裝:帶卷 (TR) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-SDIP |
| MB820 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類(lèi)別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
| MB-8210 | 制造商:Maxxtro 功能描述:Bulk |
| MB82101BAN | 制造商:MURATA 制造商全稱(chēng):Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
| MB82101BBN | 制造商:MURATA 制造商全稱(chēng):Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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