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參數資料
| 型號： | MB81V4265S-70L |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 256K × 16位的超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（256K × 16位超級頁面存取模式動態(tài)內存） |
| 文件頁數： | 24/30頁 |
| 文件大小： | 653K |
| 代理商： | MB81V4265S-70L |
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24
MB81V4265S-60/-70/-60L/-70L
LCAS
or
UCAS
LCAS
or
UCAS
Fig. 16 – RAS-ONLY REFRESH (WE = OE = “H” or “L”)
Fig. 17 – CAS-BEFORE-RAS REFRESH (ADDRESSES = WE = OE = “H” or “L”)
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
A
0
to A
8
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
RAS
DQ
(Output)
ROW ADDRESS
“H” or “L”
DESCRIPTION
Refresh of RAM memory cells is accomplished by performing a read, a write, or a read-modify-write cycle at each of 512 row
addresses every 8.2-milliseconds. Three refresh modes are available: RAS-only refresh, CAS-before-RAS refresh, and hidden
refresh.
RAS-only refresh is performed by keeping RAS Low and LCAS and UCAS High throughout the cycle; the row address to be
refreshed is latched on the falling edge of RAS. During RAS-only refresh, DQ pins are kept in a high-impedance state.
“H” or “L”
DESCRIPTION
CAS-before-RAS refresh is an on-chip refresh capability that eliminates the need for external refresh addresses. If LCAS or UCAS
is held Low for the specified setup time (t
CSR
) before RAS goes Low, the on-chip refresh control clock generators and refresh
address counter are enabled. An internal refresh operation automatically occurs and the refresh address counter is internally
incremented in preparation for the next CAS-before-RAS refresh operation.
DQ
(Output)
HIGH-Z
t
RAS
t
RC
t
RP
t
RPC
t
CRP
t
RAH
t
ASR
t
CRP
t
OFF
t
OH
HIGH-Z
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CPN
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
CSR
t
CPN
t
OFF
t
OH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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