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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4405C-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 1M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 100萬× 4位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 4位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 9/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | MB81V4405C-60 |
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9
MB81V4405C-60/MB81V4405C-70
I
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.)
Notes 3, 4, 5
MB81V4405C-70
Min.
(Continued)
No.
Parameter
Notes
Symbol
MB81V4405C-60
Min.
Unit
Max.
Max.
31
Read Command Hold Time
Referenced to CAS
t
RCH
0
—
0
—
ns
32
Write Command Set Up Time
t
WCS
0
—
0
—
ns
33
34
35
36
37
38
39
40
41
Write Command Hold Time
WE Pulse Width
Write Command to RAS Lead Time
Write Command to CAS Lead Time
DIN Set Up Time
DIN Hold Time
RAS to WE Delay Time
CAS to WE Delay Time
Column Address to WE Delay Time
RAS Precharge Time to CAS Active Time
(Refresh Cycles)
CAS Set Up Time for CAS-before-RAS
Refresh
CAS Hold Time for CAS-before-RAS
Refresh
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
RWD
t
CWD
t
AWD
10
10
15
10
0
10
77
32
47
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
18
10
0
10
87
37
52
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
42
t
RPC
5
—
5
—
ns
43
t
CSR
0
—
0
—
ns
44
t
CHR
10
—
10
—
ns
45
WE Set Up Time from RAS
t
WSR
0
—
0
—
ns
46
WE Hold Time from RAS
t
WHR
10
—
10
—
ns
47
Access Time from OE
t
OEA
—
15
—
20
ns
48
Output Buffer Turn Off Delay
from OE
OE to RAS Lead Time for Valid Data
OE to CAS Lead Time
OE Hold Time Referenced to
WE
OE to Data In Delay Time
t
OEZ
—
15
—
15
ns
49
50
t
OEL
t
COL
10
5
—
—
10
5
—
—
ns
ns
51
t
OEH
0
—
0
—
ns
52
t
OED
15
—
15
—
ns
53
DIN to CAS Delay Time
t
DZC
0
—
0
—
ns
54
DIN to OE Delay Time
t
DZO
0
—
0
—
ns
55
56
57
58
59
60
OE Precharge Time
OE Hold Time Referenced to CAS
WE Precharge Time
WE to Data In Delay Time
RAS to Data In Delay Time
CAS to Data In Delay Time
t
OEP
t
OECH
t
WPZ
t
WED
t
RDD
t
CDD
10
10
10
15
15
15
—
—
—
—
—
—
10
10
10
15
15
15
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
14
15
20
20
9
10
16
17
17
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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