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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4800S-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 512K×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 512K×8位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS為512k × 8位快速頁面模式的DRAM（的CMOS為512k × 8位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/26頁 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | MB81V4800S-70 |
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6
MB81V4800S-60/MB81V4800S-70
I
DC CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 3
Parameter
Notes Symbol
Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Output high voltage
V
OH
I
OH
= –2.0 mA
2.4
—
—
V
Output low voltage
V
OL
I
OL
= +2.0 mA
—
—
0.4
Input leakage current (any input)
I
I(L)
0 V
≤
V
IN
≤
3.6 V;
3.0 V
≤
V
CC
≤
3.6 V;
V
SS
= 0 V; All other pins
not under test = 0 V
–10
—
10
μ
A
Output leakage current
I
DQ(L)
0 V
≤
V
OUT
≤
3.6 V;
Data out disabled
–10
—
10
Operating current
(Average Power
supply current)
MB81V4800S-60
I
CC1
RAS & CAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
65
mA
MB81V4800S-70
58
Standby current
(Power supply
current)
LVTTL level
I
CC2
RAS = CAS = V
IH
—
—
2.0
mA
CMOS level
RAS = CAS
≥
V
CC
–0.2 V
1.0
Refresh current #1
(Average power
supply current)
MB81V4800S-60
I
CC3
CAS = V
IH
, RAS cycling;
t
RC
= min.
—
—
65
mA
MB81V4800S-70
58
Fast Page Mode
current
MB81V4800S-60
I
CC4
RAS = V
IL
, CAS cycling;
t
PC
= min.
—
—
65
mA
MB81V4800S-70
58
Refresh current #2
(Average power
supply current)
MB81V4800S-60
I
CC5
RAS cycling;
CAS-before-RAS;
t
RC
= min.
—
—
65
mA
MB81V4800S-70
58
Refresh current #3
(Average power supply current)
I
CC9
RAS = V
IL
, CAS = V
IL
Self refresh;
t
RASS
= min.
—
—
1000
μ
A
1
1
2
2
2
2
2
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參數(shù)描述 |
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