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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD22183EA-85PBS |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-71 |
| 文件頁數(shù)： | 32/64頁 |
| 文件大小： | 1177K |
| 代理商： | MB84VD22183EA-85PBS |
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MB84VD2218XEA/H/2219XEA/H-70/85/90
38
Read Only Operations Characteristics (Flash)
Test Conditions: Output Load : 1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times : 5 ns
Input pulse levels : 0.0 V or 3.0 V
Timing measurement reference level
Input : 0.5
× VCCf
Output : 0.5
× VCCf
Parameter
Symbol
Test
Setup
Value
Unit
70
85
90
JEDEC Standard
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read Cycle Time
tAVAV
tRC
70
85
90
ns
Address to Output Delay
tAVQV
tACC
CEf
= VIL
OE
= VIL
70
85
90
ns
Chip Enable to Output Delay
tELQV
tCE
OE
= VIL
70
85
90
ns
Output Enable to Output Delay
tGLQV
tOE
30
35
40
ns
Chip Enable to Output High-Z
tEHQZ
tDF
25
30
30
ns
Output Enable to Output High-Z
tGHQZ
tDF
25
30
30
ns
Output Hold Time From Addresses,
CEf or OE, Whichever Occurs First
tAXQX
tOH
0
0
0
ns
RESET Pin Low to Read Mode
tREADY
20
20
20
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD22184EA-90PBS | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA71 |
| M93C66-WMB3TP | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48LC4M16A2P-75:G | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| M93C06-MB6G | 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT48LC4M16A2F4-6IT:G | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VD22183EC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22183EC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22183EC-90-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22183EE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
| MB84VD22183EE-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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