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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29DL640E90TN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 48/71頁 |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | MBM29DL640E90TN |
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MBM29DL640E
80/90/12
48
Address
Data
WE
OE
CE
3rd Bus Cycle
Data Polling
555h
PA
A0h
PD
DQ
7
D
OUT
PA
t
WC
t
AS
t
AH
t
WHWH1
t
CPH
t
CP
t
GHEL
t
DS
t
DH
t
WS
t
WH
Figure 7
Alternate CE Controlled Program Operation Timing Diagram
Notes : 1.
PA is address of the memory location to be programmed.
PD is data to be programmed at word address.
DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
D
OUT
is the output of the data written to the device.
Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
These waveforms are for the
×
16 mode. (The addresses differ from
×
8 mode.)
2.
3.
4.
5.
6.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29DL640E90TR | 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL64DF | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF-70 | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70PBT | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70TN | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL640E90TN-LE1 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| MBM29DL640E90TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL64DF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
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