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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29DL640E90TN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 60/71頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | MBM29DL640E90TN |
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MBM29DL640E
80/90/12
60
Figure 23
Embedded Erase
TM
Algorithm
Note : The sequence is applied for
×
16 mode.
The addresses differ from
×
8 mode.
EMBEDDED ALGORITHM
555h/AAh
555h/80h
2AAh/55h
555h/AAh
555h/10h
2AAh/55h
555h/AAh
555h/80h
2AAh/55h
555h/AAh
Sector Address
/30h
Sector Address
/30h
Sector Address
/30h
2AAh/55h
Erasure Completed
Data
=
FFh
Data Polling
Write Erase
Command Sequence
(See Below)
Start
No
Yes
Embedded
Erase
Algorithm
in progress
Chip Erase Command Sequence
(Address/Command)
:
Individual Sector/Multiple Sector
Erase Command Sequence
(Address/Command)
:
Additional sector
erase commands
are optional.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29DL640E90TR | 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL64DF | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF-70 | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70PBT | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70TN | FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL640E90TN-LE1 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| MBM29DL640E90TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL64DF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
| MBM29DL64DF70PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 64 M (8 M X 8/4 M X 16) BIT |
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