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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F002T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 200萬（256K × 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓256K × 8位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 39/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 591K |
| 代理商： | MBM29F002T |
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39
MBM29F002T/002B/002ST/002SB
-70/-90/-12
Figure 16 Data Polling Algorithm
Note:
DQ
7
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
7
may change simultaneously with DQ
5
.
VA = Address for programming
= Any of the sector addresses
within the sector being erased
during sector erase operation
= Any of the sector addresses
within the sector not being
protected during chip erase
operation
Fail
DQ
7
= Data
No
No
DQ
7
= Data
DQ
5
= 1
Pass
Yes
Yes
No
Start
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Yes
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