參數(shù)資料
型號: MBM29F002T
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: 2M (256K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓256K ×8位閃速存儲器)
中文描述: 200萬(256K × 8)位快閃記憶體(單5V的電源電壓256K × 8位閃速存儲器)
文件頁數(shù): 44/52頁
文件大?。?/td> 591K
代理商: MBM29F002T
44
MBM29F002T/002B/002ST/002SB
-70/-90/-12
(Continued)
t
ACC
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
A
,
t
CE
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
C
,
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
OE
, t
DF
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
O
,
D
,
40
30
20
10
0
CURRENT WAVE FORM (Chip Erase)
1 s/Division
I
C
Pre-Program
Erase
V
IH
V
IL
WE
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
–30
0
15
30
45
75
V
CC
= 5.0 V
60
–15
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
–30
0
15
30
45
75
V
CC
= 5.0 V
60
–15
–30
0
15
30
45
75
V
CC
= 5.0 V
60
–15
t
OE
t
DF
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PDF描述
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MBM29F016A-12 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85
MBM29F016A-12PFTN 16M (2M X 8) BIT
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