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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F016 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓200萬× 8位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 14/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | MBM29F016 |
14
MBM29F016
-12-X
Write/Erase/Program Operations
Alternate CE Controlled Writes
Note: This does not include the preprogramming time.
Parameter Symbols
Description
–12–X
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
ns
Toggle Bit I and Data Polling
Min.
10
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
ns
t
ELEH
t
CP
Write Pulse Width
Min.
50
ns
t
EHEL
t
CPH
Write Pulse Width High
Min.
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note)
Typ.
1
sec
Max.
15
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F017-12 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| MBM29F017A | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F017A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-70PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN-X# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F016A-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
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