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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F200TC-90PF |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Replaced by TPS2043B : 0.7A, 2.7-5.5V Triple (2In/3Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁數(shù)： | 31/48頁 |
| 文件大小： | 508K |
| 代理商： | MBM29F200TC-90PF |
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31
MBM29F200TC
-55/-70/-90
/MBM29F200BC
-55/-70/-90
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode.
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
DH
DQ
7
A0H
D
OUT
CE
555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
WS
t
WH
t
GHEL
PD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F200TC-90PFTN | 2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F200TC-90PFTR | 2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F400BA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F400TA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F400TC-90PFTN | Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F200TC-90PF-S# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F200TC-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F200TC-90PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29F400BC-55 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PF | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
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