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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F400BA |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8/256K × 16）位閃存（4分單5V的電源電壓為512k × 8/256K × 16位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 424K |
| 代理商： | MBM29F400BA |
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28
MBM29F400TA/MBM29F400BA
Write/Erase/Program Operations
Alternate CE Controlled Writes
Notes:
1. This does not include the preprogramming time.
2. Not 100% tested.
Parameter Symbol
Description
–70
–90
–12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 2)
Min.
70
90
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min.
30
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
(Note 2)
Read (Note 2)
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
16
16
16
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Erase Operation (Note 1)
Typ.
1.5
1.5
1.5
sec
Max.
30
30
30
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 2)
Typ.
50
50
50
μ
s
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
—
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output High-Z (Note 2) Max.
20
30
30
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay (Note 2)
Min.
30
35
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F400TA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
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| MBM29F400BC-55 | PP75-180-RETAINING PIN RoHS Compliant: Yes |
| MBM29F400BC-55PF | Cable clamp hardware pak, 20 A, black, clamp termination, for plug, 4 pole |
| MBM29F400BC-55PFTN | PP10 PIN CNT #10 TIN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F400BC-55 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PF | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PFTN-S# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400BC-55PFTN-SFL(E1) | 制造商:Spansion 功能描述: |
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