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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F400BA |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8/256K × 16）位閃存（4分單5V的電源電壓為512k × 8/256K × 16位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 38/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 424K |
| 代理商： | MBM29F400BA |
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38
MBM29F400TA/MBM29F400BA
* :Device is either powered-down, erase inhibit or program inhibit.
Table 10 Embedded Erase Algorithm
Bus Operation
Command Sequence
Comment
Standby*
—
—
Write
Erase
—
Read
—
Data Polling to Verify Erasure
Standby*
—
Compare Output to FFH
Start
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
5555H/10H
2AAAH/55H
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
2AAAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequence
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Erasure Completed
Chip Erase Command Sequence
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Figure 18 Embedded Erase Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F400TA | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29F400TC-90PFTN | Quad Current-Limited Power Distribution Switches 16-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F400BC-55 | PP75-180-RETAINING PIN RoHS Compliant: Yes |
| MBM29F400BC-55PF | Cable clamp hardware pak, 20 A, black, clamp termination, for plug, 4 pole |
| MBM29F400BC-55PFTN | PP10 PIN CNT #10 TIN |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F400BC-55 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PF | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
| MBM29F400BC-55PFTN-S# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F400BC-55PFTN-SFL(E1) | 制造商:Spansion 功能描述: |
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