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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F400TA |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K×8/256K ×16) Bit Flash Memory(4M 單5V 電源電壓512K×8/256K ×16位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8/256K × 16）位閃存（4分單5V的電源電壓為512k × 8/256K × 16位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 424K |
| 代理商： | MBM29F400TA |
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23
MBM29F400TA/MBM29F400BA
I
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Notes:
1. The I
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component
(at 6 MHz).
The frequency component typically is less than 2 mA/MHz, with OE at V
IH
.
2. I
CC
active while Embedded Algorithm (program or erase) is in progress.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Condition
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
—
±
1.0
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
—
±
1.0
μ
A
I
LIT
Input Leakage Current
V
CC
= V
CC
Max.,
A
9
, OE, RESET = 12.0 V
—
50
μ
A
I
CC1
V
CC
Active Current (Note 1)
CE = V
IL
, OE = V
IH
Byte
—
40
mA
Word
50
I
CC2
V
CC
Active Current (Note 2)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
60
mA
I
CC3
V
CC
Current (Standby)
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
IH
, RESET = V
IH
—
1.0
mA
I
CC4
V
CC
Current (Standby, Reset)
V
CC
= V
CC
Max., RESET = V
IL
—
1.0
mA
V
IL
Input Low Level
—
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Level
—
2.0
V
CC
+0.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect and
Sector Protection (A
9
, OE,
RESET)
V
CC
= 5.0 V
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 5.8 mA, V
CC
= V
CC
Min.
—
0.45
V
V
OH
Output High Voltage Level
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC
Min.
2.4
—
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
—
3.2
4.2
V
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MBM29F400TC-55PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT |
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