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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F800T-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 6位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 4/51頁 |
| 文件大小： | 642K |
| 代理商： | MBM29F800T-12 |
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4
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
I
FLEXIBLE SECTOR-ERASE ARCHITECTURE
One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and fifteen 64K bytes.
Individual-sector, multiple-sector, or bulk-erase capability.
Individual or multiple-sector protection is user definable.
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BFFFFH
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MBM29F800T Sector Architecture
MBM29F800B Sector Architecture
64K byte
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8K byte
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4FFFFH
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1FFFFH
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5FFFFH
4FFFFH
3FFFFH
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F800T | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F800TA | Replaced by TPS2045A : 0.345A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F800TA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800TA-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800TA-55PF | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29F800TA-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29F800TA-55PFTN-S# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
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