參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F800T-12
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬(wàn)× 8/512K × 6位閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 7/51頁(yè)
文件大?。?/td> 642K
代理商： MBM29F800T-12
7
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
I
LOGIC SYMBOL
19
A
0
to A
18
WE
RY/BY
OE
CE
A
-1
DQ
0
to DQ
15
16 or 8
RESET
BYTE
Table 1 MBM29LV800T/B Pin Configuration
Pin
Function
Address Inputs
Data Inputs/Outputs
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
No Internal Connection
Ready-Busy Output
Device Ground
Device Power Supply
(5.0 V
±
10%)
Hardware Reset Pin/
Temporary Sector Unprotection
A
-1
, A
0
to A
18
DQ
0
to DQ
15
CE
OE
WE
RESET
N.C.
RY/BY
Selects 8-bit or 16-bit mode
BYTE
V
SS
V
CC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F800T-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800T 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800TA Replaced by TPS2045A : 0.345A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F800TA 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800TA-55 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800TA-55PF 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY
MBM29F800TA-55PFTN 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY
MBM29F800TA-55PFTN-S# 制造商:FUJITSU 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*