參數(shù)資料
型號： MBM29F800T-90
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器)
中文描述： 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 6位閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 31/51頁
文件大?。?/td> 642K
代理商： MBM29F800T-90
31
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode.
Figure 6 Alternate WE Controlled Program Operation Timings
t
GHWL
t
WP
t
DF
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
5.0 V
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
CS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
t
CE
WE
5555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
相關PDF資料
PDF描述
MBM29F800B-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器)
MBM29F800B 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29F800T 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器)
MBM29F800TA Replaced by TPS2045A : 0.345A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85
MBM29F800BA-70 Multi-Color LED; Bulb Size:T-1; LED Color:Red/Green; Luminous Intensity:14ucd; Viewing Angle:60 ; Forward Current:20mA; Forward Voltage:2.1V; Operating Temperature Range:-25 C to +75 C; Color:Red/Green RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29F800TA 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800TA-55 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
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MBM29F800TA-55PFTN 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY
MBM29F800TA-55PFTN-S# 制造商:FUJITSU 功能描述:
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