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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV080-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8) Bit Flash Memory(8M (1M ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8）位閃存（8米（1米× 8）位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 22/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 420K |
| 代理商： | MBM29LV080-12 |
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22
MBM29LV080
-10/-12/-15
CMOS Compatible
Parameter
Symbol
Notes: 1. The I
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component
(at 5 MHz).
The frequency component typically is 2 mA/MHz, with OE at V
IH
.
2. I
CC
active while Embedded Algorithm (program or erase) is in progress.
3. This voltage is for Sector Protetion operation.
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
–1.0
+1.0
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
–1.0
+1.0
μ
A
I
LIT
A
9
, OE, RESET Inputs Leakage
Current
V
CC
= V
CC
Max.
A9, OE, RESET = 12.5 V
—
+80
μ
A
I
CC1
V
CC
Active Current (Note 1)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
30
mA
I
CC2
V
CC
Active Current (Note 2)
CE = V
IL
, OE = V
IH
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
IH
±
0.3 V,
RESET = V
CC
±
0.3 V
V
CC
= V
CC
Max.
RESET = V
CC
±
0.3 V
—
—
35
mA
I
CC3
V
CC
Standby Current
—
5
μ
A
I
CC4
V
CC
Standby Current (Reset)
—
5
μ
A
V
IL
Input LOW LEvel
–0.5
0.6
V
V
IH
Input HIGH LEvel
—
0.8 V
CC
V
CC
+0.3
V
V
ID
Voltage for Autoselect and Sector
protection (A
9
, OE, RESET) (Note 3)
—
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 4.0 mA, V
CC
= V
CC
Min.
—
0.45
V
V
OH1
Output High Voltage Level
I
OH
= –2.0 mA, V
CC
= V
CC
Min.
I
OH
= –100
μ
A, V
CC
= V
CC
Min.
0.85 V
CC
—
V
V
OH2
V
CC
–0.4
—
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-out Voltage
—
2.3
2.5
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV080-15 | 8M (1M ×8) Bit Flash Memory(8M (1M ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
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| MBM29LV080A-12 | 8M (1M x 8) BIT |
| MBM29LV080A-12PTR | 8M (1M x 8) BIT |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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