參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29LV200B-10
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 200萬(wàn)的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬(wàn)（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 33/50頁(yè)
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代理商： MBM29LV200B-10
33
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
V
CC
CE
OE
Addresses
Data
WE
5555H
2AAAH
5555H
5555H
2AAAH
SA
t
DS
t
CH
t
AS
t
AH
t
CS
t
WPH
t
DH
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
WP
AAH
55H
80H
AAH
55H
10H/
30H
Figure 8 AC Waveforms Chip/Sector Erase Operations
Notes:
1. SA is the sector address for Sector Erase. Addresses = 5555H (Word), AAAAH (Byte)
for Chip Erase.
2. These waveforms are for the
×
16 mode. The addresses differ from
×
8 mode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV200T-10 CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV200T-12 CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV200B-12 CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV200B 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29LV200T 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
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MBM29LV200BC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
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