- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377951 > MBM29LV200B-10 (Fujitsu Limited) CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV200B-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 200萬(wàn)的CMOS（256K × 8/128K × 16）位閃存（200萬(wàn)（256K × 8/128K × 16）位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MBM29LV200B-10 |
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34
MBM29LV200T
-10/-12
/MBM29LV200B
-10/-12
Figure 9 AC Waveforms for Data Polling during Embedded Algorithm Operations
* :DQ
7
= Valid Data (The device has completed the Embedded operation.)
t
OEH
t
OE
CE
OE
WE
DQ
7
DQ
7
t
DF
t
CH
t
CE
High-Z
DQ
=
Valid Data
DQ
7
*
t
OE
DQ
0
to DQ
6
High-Z
DQ
0
to DQ
6
DQ
0
to DQ
6
=Invalid
DQ
to DQ
6
Valid Data
t
WHWH1 or 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV200T-10 | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV200T-12 | CMOS 2M (256K×8/128K ×16) Bit Flash Memory(2M (256K×8/128K ×16)位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
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| MBM29LV200B | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MBM29LV200BC-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200BC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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