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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV200T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 2米（256畝× 8 / 128畝× 16）閃存（（256畝× 8 / 128畝× 16）單3V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 28/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | MBM29LV200T |
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28
MBM29LV200T/MBM29LV200B
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
(Continued)
Parameter Symbols
Description
-10
-12
-15
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
100
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
50
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output
Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
C
L
3.3 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Notes:
C
L
= 30 pF including jig capacitance (MBM29LV200T-10, B-10)
C
L
= 100 pF including jig capacitance (MBM29LV200T-12, -15/B-12, -15)
Figure 4 Test Conditions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV320BE | Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V |
| MBM29LV320BE10TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90 | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90PBT | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90TN | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV200TC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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