- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377951 > MBM29LV200T (Fujitsu Limited) 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV200T |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 2米（256畝× 8 / 128畝× 16）閃存（（256畝× 8 / 128畝× 16）單3V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | MBM29LV200T |
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34
MBM29LV200T/MBM29LV200B
t
CP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
WE
OE
Addresses
Data
t
AS
t
CPH
t
DH
DQ
7
A0H
D
OUT
CE
5555H
PA
PA
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
WS
t
WH
t
GHEL
PD
Figure 7 Alternate CE Controlled Program Operation Timings
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode. The addresses differ from
×
8 mode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV320BE | Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V |
| MBM29LV320BE10TR | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90 | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90PBT | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
| MBM29LV320TE90TN | 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV200TC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
| MBM29LV200TC-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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