參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29LV200T
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 2 M (256 K ×8/128 K ×16)Flash Memory((256 K ×8/128 K ×16) 單3V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 2米（256畝× 8 / 128畝× 16）閃存（（256畝× 8 / 128畝× 16）單3V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 43/51頁(yè)
文件大?。?/td> 331K
代理商： MBM29LV200T
43
MBM29LV200T/MBM29LV200B
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
5555H/10H
2AAAH/55H
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
2AAAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequece
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Chip Erase Command Sequence*
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector*
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Start
Erasure Completed
Figure 19 Embedded Erase
TM
Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
* :The sequence is applied for
×
16 mode.
The addresses differ from
×
8 mode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29LV320BE Triacs - I<sub>GT</sub>: 10 mA; I<sub>T</sub> (R<sub>MS</sub>): 1 A; V<sub>DRM</sub>: 800 V
MBM29LV320BE10TR 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE90 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE90PBT 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
MBM29LV320TE90TN 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBM29LV200TC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-12 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-12PFTN 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-12PFTR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29LV200TC-70 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
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