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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 39/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-12 |
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39
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
DQ
2
DQ
6
WE
Erase
Erase
Suspend
Enter
Embedded
Erasing
Erase Suspend
Read
Enter Erase
Suspend Program
Erase
Suspend
Program
Erase Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Complete
Toggle
DQ
2
and DQ
6
with OE
12 V
3 V
RESET
CE
WE
RY/BY
t
VLHT
Program or Erase Command Sequence
3 V
Figure 17 DQ
2
vs. DQ
6
Note:
DQ
2
is read from the erase-suspended sector.
Figure 16 Temporary Sector Unprotection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400T-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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