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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 49/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-12 |
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49
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
C
1995 FUJITSU LIMITED F44023S-2C-2
"A"
INDEX
0.40
.016
+0.10
+.004
.002
M
0.13(.005)
1.27(.050)NOM
(.006±.002)
13.00±0.10
(.512±.004)
16.00±0.20
(.630±.008)
0.80±0.20
(.031±.008)
0(0)MIN
(STAND OFF)
1
22
23
44
LEAD No.
1.120
.008
+.010
0.20
+0.25
28.45
14.40±0.20
(.567±.008)
0.15±0.05
0.10(.004)
26.67(1.050)REF
2.50(.098)MAX
(MOUNTING HEIGHT)
Dimensions in mm (inches)
(FPT-44P-M16)
44-pin plastic SOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400T-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T-12 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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