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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400T-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 41/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400T-12 |
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41
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
Start
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
5555H/10H
2AAAH/55H
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/AAH
5555H/80H
2AAAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequece
(See Below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Erasure Completed
Chip Erase Command Sequence*
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector*
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Figure 19 Embedded Erase
TM
Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
* :The sequence is applied for
×
16 mode.
The addresses differ from
×
8 mode.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B-10 | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400TC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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