參數(shù)資料
型號: MBM29PDS322BE10PBT
廠商: FUJITSU LTD
元件分類: DRAM
英文描述: NEOZED TYPE,400V.10A
中文描述: 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA63
封裝: PLASTIC, FBGA-63
文件頁數(shù): 35/66頁
文件大小: 694K
代理商: MBM29PDS322BE10PBT
MBM29PDS322TE/BE
10/11
35
I
MAXIMUM OVERSHOOT / UNDERSHOOT
0.2
×
V
CC
0.5 V
20 ns
2.0 V
20 ns
20 ns
Figure 1 Maximum Undershoot Waveform
V
CC
+
0.5 V
0.8
×
V
CC
V
CC
+
2.0 V
20 ns
20 ns
20 ns
Figure 2 Maximum Overshoot Waveform 1
Figure 3 Maximum Overshoot Waveform 2
+
11.5 V
V
CC
+
0.5 V
+
12.5 V
20 ns
20 ns
20 ns
Note: This waveform is applied for A
9
, OE and RESET
相關PDF資料
PDF描述
MBM29PDS322BE11 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PDS322BE11PBT 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation
MBM29PL160TD 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29PL160BD-75 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29PL160BD-75PF 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
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參數(shù)描述
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