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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC68HC908JK1ECDW |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 72/180頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 1.5K FLASH 8MHZ 20-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 38 |
| 系列： | HC08 |
| 核心處理器： | HC08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 外圍設(shè)備： | LED，LVD，POR，PWM |
| 輸入/輸出數(shù)： | 15 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 1.5KB（1.5K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 12x8b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁當(dāng)前第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁
MC68HC908JL3E Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
163
A.5.6 Memory Characteristics
The Flash memory can only be read at an operating voltage of 2.2 to 5.5V. Program and erase are
achieved at an operating voltage of 2.7 to 5.5V. The program and erase parameters in Table A-6 are for
VDD = 2.7 to 5.5V only.
Table A-6. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
Flash program bus clock frequency
—
1
—
MHz
Flash read bus clock frequency
fRead
(1)
1. fRead is defined as the frequency range for which the Flash memory can be read.
32k
8M
Hz
Flash page erase time
tErase
(2)
2. If the page erase time is longer than tErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash mem-
ory.
1—
ms
Flash mass erase time
tMErase
(3)
3. If the mass erase time is longer than tMErase (Min), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the Flash
memory.
4—
ms
Flash PGM/ERASE to HVEN set up time
tnvs
10
—
μs
Flash high-voltage hold time
tnvh
5—
μs
Flash high-voltage hold time (mass erase)
tnvhl
100
—
μs
Flash program hold time
tpgs
5—
μs
Flash program time
tPROG
30
40
μs
Flash return to read time
trcv
(4)
4. trcv is defined as the time it needs before the Flash can be read after turning off the high voltage charge pump, by clearing
HVEN to 0.
1—
μs
Flash cumulative program hv period
tHV
(5)
5. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tnvs + tnvh + tpgs + (tPROG × 32) ≤ tHV max.
—4
ms
Flash row erase endurance(6)
6. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
Flash row program endurance(7)
7. The minimum row endurance value specifies each row of the Flash memory is guaranteed to work for at least this many
erase / program cycles.
—
10k
—
cycles
Flash data retention time(8)
8. The Flash is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum time specified.
—
10
—
years
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