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參數(shù)資料
| 型號： | MC908JL16CFJE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 111/230頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 16K FLASH 8MHZ 32-LQFP |
| 標準包裝： | 1,250 |
| 系列： | HC08 |
| 核心處理器： | HC08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 連通性： | I²C，SCI |
| 外圍設(shè)備： | LED，LVD，POR，PWM |
| 輸入/輸出數(shù)： | 26 |
| 程序存儲器容量： | 16KB（16K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 13x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 32-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 724 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | DEMO908JL16E-ND - BOARD DEMO FOR MC908JL16 |
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Monitor Module (MON)
MC68HC908JL16 Data Sheet, Rev. 1.1
Freescale Semiconductor
199
start of boundary address (the page start address: $XX00, $XX40, $XX80, or $00C0) and DATASIZE
must be the same size when accessing the same page.
In some applications, the user may want to repeatedly store and read a set of data from an area of
non-volatile memory. This can be easily implemented when EEPROM memory is used because the byte
erase is allowed in EEPROM. On the other hand in FLASH memory, a minimum erase size is a page (64
bytes), so unused locations in a page will be wasted when it is used for data storage.
The EE_WRITE routine is designed to emulate EEPROM using FLASH. This allows a FLASH page to
implement data storage more efficiently. Each call of the EE_WRITE routine will automatically transfer the
data in the data array (in RAM) to the next available blank locations in a page. Once the page is filled up
with data, the EE_WRITE routine automatically erases the page and programs updated data in the same
page. In a FLASH page, data is programmed to FLASH with in a block that consists of the data array and
one boundary byte. The boundary byte contains the remaining number of bytes which can be
programmed in the page (see Figure 16-16).
Figure 16-16. EE_WRITE FLASH Memory Usage
When using this routine to store a 3-byte data array, the FLASH page can be programmed 16 times before
the an erase is required. In effect, the write/erase endurance is increased by 16 times. When a 15-byte
data array is used, the write/erase endurance is increased by 4 times. Due to the FLASH page size
limitation, the data array is limited from 2 bytes to 15 bytes.
The coding example below uses the $EF00–$EE3F page for data storage. The data array size is 15 bytes,
and the bus speed is 4.9152 MHz. The coding assumes the data block is already loaded in RAM, with the
address pointer, FILE_PTR, pointing to the first byte of the data block.
PAGE END
DATA ARRAY
$XX00, $XX40, $XX80, OR $XXC0
PAGE START
ONE PAGE = 64 BYTES
FL
A
S
H
BOUNDARY
DATA ARRAY
BOUNDARY
DATA ARRAY
BOUNDARY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MC908JL16CSPE | 功能描述:8位微控制器 -MCU MCU 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC908JL3 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MC908JL3 |
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