參數(shù)資料
型號(hào)： MC908JL16CFJE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 131/230頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 16K FLASH 8MHZ 32-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,250
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： I²C，SCI
外圍設(shè)備： LED，LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 26
程序存儲(chǔ)器容量： 16KB（16K x 8）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 閃存
RAM 容量： 512 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 13x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 32-LQFP
包裝： 托盤(pán)
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 724 (CN2011-ZH PDF)
配用： DEMO908JL16E-ND - BOARD DEMO FOR MC908JL16
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Electrical Specifications
MC68HC908JL16 Data Sheet, Rev. 1.1
216
Freescale Semiconductor
17.15 Memory Characteristics
Table 17-14. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
RAM data retention voltage (1)
1. Values are based on characterization results, not tested in production.
VRDR
1.3
—
V
FLASH program bus clock frequency
—
1
—
MHz
FLASH PGM/ERASE supply voltage (VDD)VPGM/ERASE
2.7
—
5.5
V
FLASH read bus clock frequency
fRead
(2)
2. fRead is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
0—
8 M
Hz
FLASH page erase time
<1 K cycles
>1 K cycles
tErase
0.9
3.6
1
4
1.1
5.5
ms
FLASH mass erase time
tMErase
4—
—
ms
FLASH PGM/ERASE to HVEN setup time
tNVS
10
—
s
FLASH high-voltage hold time
tNVH
5—
—
s
FLASH high-voltage hold time (mass erase)
tNVHL
100
—
s
FLASH program hold time
tPGS
5—
—
s
FLASH program time
tPROG
30
—
40
s
FLASH return to read time
tRCV
(3)
3. tRCV is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump, by clearing
HVEN to 0.
1—
—
s
FLASH cumulative program hv period
tHV
(4)
4. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tNVS + tNVH + tPGS + (tPROG x 32) ≤ tHV maximum.
——
4
ms
FLASH endurance(5)
5. Typical endurance was evaluated for this product family. For additional information on how Freescale Semiconductor
defines Typical Endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619.
—10 k
100 k
—
Cycles
FLASH data retention time(6)
6. Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale Semiconductor defines Typical Data
Retention, please refer to Engineering Bulletin EB618.
—
15
100
—
Years
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PDF描述
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參數(shù)描述
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