參數(shù)資料
型號: MCIMX257CJM4
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 69/153頁
文件大小: 0K
描述: MPU IMX25 IND 400-MAPBGA
特色產(chǎn)品: MCIMX25 Applications Processors
標準包裝: 90
系列: i.MX25
核心處理器: ARM9
芯體尺寸: 32-位
速度: 400MHz
連通性: 1 線,CAN,EBI/EMI,以太網(wǎng),I²C,MMC,智能卡,SPI,SSI,UART/USART,USB OTG
外圍設(shè)備: DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 128
程序存儲器類型: 外部程序存儲器
RAM 容量: 144K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.15 V ~ 1.52 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 3x12b
振蕩器型: 外部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 400-LFBGA
包裝: 托盤
i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
22
Freescale Semiconductor
3.5.1.2
DDR_TYPE = 01 SDRAM I/O DC Parameters
Table 18 shows the DC I/O parameters for SDRAM.
3.5.1.3
DDR_TYPE = 10 Max Setting DDR I/O DC Parameters
Table 19 shows the I/O parameters for DDR2 (SSTL_18).
Table 18. SDRAM DC Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
High-level output voltage
Voh
Ioh = Specified Drive
(Ioh = –4, –8, –12, –16mA)
2.4
V
Low-level output voltage
Vol
Ioh = Specified Drive
(Ioh = 4, 8, 12, 16mA)
——
0.4
V
High-level output current
I
Ioh
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
–4.0
–8.0
–12.0
——
mA
Low-level output current
I
Iol
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
4.0
8.0
12.0
——
mA
High-level DC input voltage
VIH
2.0
3.6
V
Low-level DC input voltage
VIL
–0.3 V
0.8
V
Input current (no pull-up/down)
IIN
VI = 0
VI = OVDD
——
150
80
nA
High-impedance I/O supply current
Icc-ovdd
VI = OVDD or 0
1180
nA
High-impedance core supply current
Icc-vddi
VI = VDD or 0
1220
nA
Table 19. DDR2 (SSTL_18) I/O DC Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Symbol Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
High-level output voltage
Voh
OVDD – 0.28
V
Low-level output voltage
Vol
0.28
V
Output min. source current1
IIoh
–13.4
mA
Output min. sink current2
IIol
13.4
mA
DC input logic high
VIH(dc)
OVDD/2 + 0.125
OVDD + 0.3
V
DC input logic low
VIL(dc)
–0.3 V
OVDD/2 – 0.125
V
DC input signal voltage3 (for differential
signal)
Vin(dc)
–0.3
OVDD + 0.3
V
DC differential input voltage4
Vid(dc)
0.25
OVDD+0.6
V
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