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參數(shù)資料
| 型號： | MCIMX356AVM4B |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 61/147頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MPU I.MX35 400MAPBGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | i.MX35 |
| 核心處理器： | ARM11 |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 連通性： | 1 線，CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外圍設備： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 96 |
| 程序存儲器類型： | ROMless |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.22 V ~ 1.47 V |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 400-LFBGA |
| 包裝： | 托盤 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁當前第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁
i.MX35 Applications Processors for Automotive Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
20
The method for obtaining max current is as follows:
1. Measure worst case power consumption on individual rails using directed test on i.MX35.
2. Correlate worst case power consumption power measurements with worst case power
consumption simulations.
3. Combine common voltage rails based on power supply sequencing requirements
4. Guard band worst case numbers for temperature and process variation. Guard band is based on
process data and correlated with actual data measured on i.MX35.
5. The sum of individual rails is greater than real world power consumption, as a real system does
not typically maximize power consumption on all peripherals simultaneously.
4.6
Thermal Characteristics
The thermal resistance characteristics for the device are given in Table 12. These values were measured
under the following conditions:
Two-layer substrate
Substrate solder mask thickness: 0.025 mm
Substrate metal thicknesses: 0.016 mm
Substrate core thickness: 0.200 mm
Core via I.D: 0.168 mm, Core via plating 0.016 mm.
Full array map design, but nearly all balls under die are power or ground.
Die Attach: 0.033 mm non-conductive die attach, k = 0.3 W/m K
Mold compound: k = 0.9 W/m K
Table 11. Power Consumption
Power Supply
Voltage (V)
Max Current (mA)
QVCC
1.47
400
MVDD, PVDD
1.65
20
NVCC_EMI1, NVCC_EMI2, NVCC_EMI3, NVCC_LCDC, NVCC_NFC
1.9
90
FUSE_VDD1
1 This rail is connected to ground; it only needs a voltage if eFuses are to be programmed. FUSE_VDD should be supplied by
following the power up sequence given in Section 4.3.1, “Powering Up.”
3.6
62
NVCC_MISC, NVCC_CSI, NVCC_SDIO, NVCC_CRM, NVCC_ATA, NVCC_MLB,
NVCC_JTAG
3.6
60
OSC24M_VDD, OSC_AUDIO_VDD, PHY1_VDDA, PHY2_VDD,
USBPHY1_UPLLVDD, USBPHY1_VDDA_BIAS
3.6
25
Table 12. Thermal Resistance Data
Rating
Condition
Symbol
Value
Unit
Junction to ambient1 natural convection
Single layer board (1s)
ReJA
53
C/W
Junction to ambient1 natural convection
Four layer board (2s2p)
ReJA
30
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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