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參數(shù)資料
| 型號： | MG150Q2YS65H |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | High Power & High Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 高功率 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | MG150Q2YS65H |
MG150Q2YS65H
2002-10-04
4
S
S
Collector current I
C
(A)
Switching time – I
C
S
Collector current I
C
(A)
Switching time – I
C
S
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
S
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
Collector current I
C
(A)
Switching loss – I
C
Gate resistance R
G
( )
Switching loss – R
G
S
0.01
0.1
1
0
10
50
20
30
40
tr
td (on)
ton
Common emitter
VCC 600 V
IC 150 A
VGE 15 V
: Tc 25°C
: Tc 125°C
0.01
10
0.1
1
100
1000
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 5.6
tr
ton
td (on)
0.01
10
0.1
1
100
1000
toff
td (on)
tf
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 5.6
: Tc 25°C
: Tc 125°C
0.01
0.1
10
0
10
50
20
30
40
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
IC 15 A
VGE 15 V
toff
td (off)
tf
1
1
10
100
0
10
50
20
30
40
Eon
Eoff
Edsw
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
IC 150 A
VGE 15 V
1
10
100
0
50
200
100
150
Eoff
Edsw
Eon
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 5.6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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