參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US41
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
中文描述： N通道IGBT的（大功率開關(guān)，馬達(dá)控制應(yīng)用）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： MG600Q1US41
MG600Q1US61
2002-10-04
5
S
S
Forward voltage V
F
(V)
I
F
– V
F
F
F
G
G
Charge Q
G
(nC)
V
CE
, V
GE
– Q
G
C
C
E
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
S
Gate resistance R
G
( )
Switching loss – R
G
Collector current I
C
(A)
Switching time – I
C
Collector current I
C
(A)
Switching loss – I
C
S
600
500
400
300
200
100
0
0
1
1.5
2
2.5
3
Common cathode
VGE 0
125
Tj 25°C
40
0.5
0
10
15
20
25
5
10
1000
100
VCC 600 V
IC 600 A
VGE 15 V
: Tj 25°C
: Tj 125°C
Eon
Eoff
0
10
15
20
25
5
100
10000
1000
VCC 600 V, IC 600 A
VGE 15 V
: Tj 25°C
: Tj 125°C
tr
td (on)
td (off)
tf
toff
ton
10
1000
10000
100
0
100
200
300
400
500
600
VCC 600 V, RG 2
VGE 15 V, Ls 100 nH
: Tj 25°C
: Tj 125°C
tr
tf
td (off)
toff
ton
td (on)
1
100
1000
10
0
100
200
300
400
500
600
VCC 600 V, RG 2
VGE 15 V, Ls 100 nH
: Tj 25°C
: Tj 125°C
Eoff
Eon
1000
0
800
600
400
200
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
4
8
12
16
20
Common emitter
RL 1
Tj 25°C
VCE 0 V
600
200
400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600J1US51 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG75J2YS50 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
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MG601 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES
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