參數(shù)資料
型號： MG600Q1US61
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： MG600Q1US61
MG600Q1US61
2002-10-04
7
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Short circuit soa
C
C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10
100
1000
10000
VGE 15 V
tw 10 s
Tj 125°C
相關PDF資料
PDF描述
MG600Q1US41 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
MG600Q2YS60A HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MG600 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG600J1US51 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG75J2YS50 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MG601 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES
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MG6330-R 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN260V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:260V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
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