參數(shù)資料
型號(hào)： MGF0910A
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： L, S BAND POWER GaAs FET
中文描述： 升，S波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 26K
代理商： MGF0910A
MGF0910A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
L, S BAND POWER GaAs FET
Nov. ′97
I
D
vs. V
DS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
2
5
0
2
4
V
GS
=-0.5V/Step
T
a
=25C
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
D
vs. V
GS
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
-3
-2
0
2
4
6
0
V
DS
=3V
T
a
=25C
1
3
4
6
-1
6
V
GS
=0V
P
O
& add vs. P
in
(f=2.3GHz)
INPUT POWER P
in
(dBm)
0
30
20
20
30
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
40
50
40
30
20
10
0
η
add
G
p
=11 10 9 dB
P
O
G
LP
,P
1dB
, I
D
and add vs. V
DS
(f=2.3GHz)
V
DS
(V)
6
37
8
20
10
I
D
=1.3A
13
12
11
10
η
add
P
1dB
39
35
40
G
LP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGF0911A L, S BAND POWER GaAs FET
MGF0913A L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]
MGF0915A L & S BAND GaAs FET[ SMD non - matched ]
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參數(shù)描述
MGF0910A_1 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L, S BAND POWER GaAs FET
MGF0910A_11 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage)
MGF0911A 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L, S BAND POWER GaAs FET
MGF0911A_1 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L, S BAND POWER GaAs FET
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