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參數(shù)資料
| 型號： | MGF0911A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | L, S BAND POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 升，S波段砷化鎵場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | MGF0911A |
MGF0911A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
GaAs FET
L, S BAND POWER GaAs FET
Nov. ′97
I
D
vs. V
DS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
2
5
0
4
8
V
GS
=-0.5V/Step
T
a
=25C
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
D
vs. V
GS
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
-3
-2
0
4
8
12
0
V
DS
=3V
T
a
=25C
1
3
4
12
-1
6
V
GS
=0V
P
O
&
η
add vs. P
in
(f=2.3GHz)
INPUT POWER P
in
(dBm)
0
35
25
25
35
V
DS
=10V
I
D
=2.6A
45
50
40
30
20
10
0
η
add
G
p
=11 10 9 dB
P
O
G
LP
,P
1dB
, I
D
and
η
add vs. V
DS
(f=2.3GHz)
V
DS
(V)
6
39
8
20
10
I
D
=2.6A
13
η
add
P
1dB
12
11
10
41
37
40
G
LP
20
30
30
40
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MGF0912A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
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