參數(shù)資料
型號(hào)： MGP11N60ED
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 11A，600V Insulated Gate Biploar Transistor with Anti-Parallel Diode（N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate）(帶軟恢復(fù)超快速整流器的絕緣柵雙極性晶體管（N溝道增強(qiáng)型硅門）)
中文描述： 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： MGP11N60ED
3
Motorola IGBT Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TJ = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DIODE CHARACTERISTICS — continued
Reverse Recovery Time
(IF = 8.0 Adc, VR
(F
dIF/dt = 200 A/
μ
s)
8 0 Ad
trr
ta
tb
—
57
—
ns
—
18
—
,
—
39
—
Reverse Recovery Stored Charge
QRR
trr
ta
tb
QRR
—
107
—
μ
C
Reverse Recovery Time
(IF = 8.0 Adc, VR
(F
dIF/dt = 200 A/
μ
s, TJ = 125
°
C)
8 0 Ad
—
91
—
ns
—
28
—
,
—
63
—
Reverse Recovery Stored Charge
—
275
—
μ
C
INTERNAL PACKAGE INDUCTANCE
Internal Emitter Inductance
(Measured from the emitter lead 0.25
″
from package to emitter bond pad)
LE
—
7.5
—
nH
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Output Characteristics
Figure 3. Transfer Characteristics
Figure 4. Collector–To–Emitter Saturation
Voltage versus Junction Temperature
8
0
VCE, COLLECTOR–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
25
10
5
VCE, COLLECTOR–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
8
0
10
0
13
17
5
VGE, GATE–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
24
16
8
0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
–25
–50
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
0
15
I
I
C
V
0
2
4
2
4
6
20
25
7
9
11
25
50
100
75
125
150
I
,
TJ = 25
°
C
VGE = 10 V
12.5 V
15 V
20 V
17.5 V
TJ = 125
°
C
VGE = 10 V
12.5 V
15 V
20 V
17.5 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
VCE = 100 V
5 s PULSE WIDTH
VGE = 15 V
80 s PULSE WIDTH
IC = 8.0 A
4.0 A
6.0 A
20
15
6
15
5
20
12
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGP11N60ED SHORT CIRCUIT RATED LOW ON-VOLTAGE
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