參數(shù)資料
型號： MGP11N60ED
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 11A，600V Insulated Gate Biploar Transistor with Anti-Parallel Diode（N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate）(帶軟恢復(fù)超快速整流器的絕緣柵雙極性晶體管（N溝道增強(qiáng)型硅門）)
中文描述： 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 145K
代理商： MGP11N60ED
4
Motorola IGBT Device Data
Figure 5. Capacitance Variation
Figure 6. Gate–To–Emitter Voltage versus
Total Charge
5
10
0
VCE, COLLECTOR–TO–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1600
800
0
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
20
0
20
16
12
4
0
30
C
15
25
20
50
40
8
V
Cies
Coes
Cres
TJ = 25
°
C
VGE = 0 V
QT
Q2
Q1
TJ = 25
°
C
VCC = 300 V
IC = 8.0 A
10
Figure 7. Total Energy Losses versus
Gate Resistance
Figure 8. Total Energy Losses versus
Junction Temperature
45
5
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
0.65
0.55
0.45
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
150
–50
0.2
0
,
E
0.25
15
25
–25
0
25
0.4
35
0.6
50
75
100
125
TJ = 125
°
C
VDD = 360 V
VGE = 15 V
IC = 8.0 A
6.0 A
4.0 A
VCC = 360 V
VGE = 15 V
RG = 20
IC = 8.0 A
6.0 A
4.0 A
0.35
Figure 9. Total Energy Losses versus
Collector Current
Figure 10. Turn–Off Losses versus
Gate Resistance
8
10
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.4
0
2
0.6
0.2
TJ = 125
°
C
VCC = 360 V
VGE = 15 V
RG = 20
4
6
45
5
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
0.6
0.5
0.4
,
E
0.2
15
25
35
TJ = 125
°
C
VDD = 360 V
VGE = 15 V
IC = 8.0 A
6.0 A
4.0 A
0.3
,
E
,
E
0.15
0.75
0.85
55
0.8
0.3
0.1
0.5
0.7
0.5
0.1
0.7
0.3
0.8
0.9
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PDF描述
MGP11N60ED SHORT CIRCUIT RATED LOW ON-VOLTAGE
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