型號(hào): | MGSF1N03LT3 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | CHOKE, POWER, SHIELDED, 4.7UH; Inductor type:Shielded Power Choke; Inductance:4.7uH; Tolerance, inductance:+/-30%; Resistance:35mR; Frequency, resonant:42MHz; Case style:SMD Shielded; Q factor:8; Material, core:Ferrite DR/RI; RoHS Compliant: Yes |
中文描述: | 750 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
文件頁(yè)數(shù): | 2/6頁(yè) |
文件大小: | 183K |
代理商: | MGSF1N03LT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MGSF1P02LT1 | P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
MGSF1P02ELT1 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
MGSF1P02ELT3 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
MGSF1P02LT3 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts |
MGSF1P02LT3 | P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MGSF1N03LT3G | 功能描述:MOSFET 30V 2.1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MGSF1P02 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Power MOSFET P-Channel |
MGSF1P02ELT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
MGSF1P02ELT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23 |
MGSF1P02LT1 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |