參數(shù)資料
型號(hào)： MGSF1N03LT3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CHOKE, POWER, SHIELDED, 4.7UH; Inductor type:Shielded Power Choke; Inductance:4.7uH; Tolerance, inductance:+/-30%; Resistance:35mR; Frequency, resonant:42MHz; Case style:SMD Shielded; Q factor:8; Material, core:Ferrite DR/RI; RoHS Compliant: Yes
中文描述： 750 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 183K
代理商： MGSF1N03LT3
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
Figure 5. On–Resistance Variation with Temperature
0.001
0.1
1
Figure 6. Gate Charge
VSD, DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
I
0
0.1
0.2
0.3
0.9
0.01
0.4
Figure 8. Capacitance
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (Volts)
C
0
8
16
20
4
12
Ciss
Coss
Crss
350
50
VGS = 0 V
f = 1 MHz
TJ = 25
°
C
0
0.5
0.6
0.7
0.8
R
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.04
0.14
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
25
°
C
VGS = 4.5 V
0.09
0.1
0.3
0.5
0.7
150
°
C
–55
°
C
0.9
1
0.24
0.19
R
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.04
0.1
0.12
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VGS = 10 V
0.08
0.06
0.14
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2
25
°
C
150
°
C
–55
°
C
R
(
0
–55
0.8
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VGS = 10 V
ID = 2 A
0
50
100
150
0.2
0.4
0.6
1
1.2
1.4
1.6
VGS = 4.5 V
ID = 1 A
V
0
10
6
2
0
QT, TOTAL GATE CHARGE (pC)
8
4
1000
6000
VDS = 24 V
TJ = 25
°
C
2000
ID = 2.0 A
3000
5000
4000
TJ = 150
°
C
–55
°
C
25
°
C
0.16
1.8
–25
25
75
125
100
150
200
250
300
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PDF描述
MGSF1P02LT1 P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF1P02ELT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23
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參數(shù)描述
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