參數(shù)資料
型號(hào)： MJ11013
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述： 30 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商： MJ11013
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc
Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor
Rating
Collector–Emitter Voltage
Symbol
MJ11012
MJ11014
90
MJ11016
120
Unit
Vdc
Collector–Base Voltage
60
90
120
Vdc
Emitter–Base Voltage
5
60
Vdc
Collector Current
30
Adc
Base Current
1
Adc
Derate above 25 C @ TC = 100 C
200
Watts
Operating Storage Junction
TJ, Tstg
–55 to +200
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θ
JC
TL
Max
0.87
Unit
C/W
Maximum Lead Temperature for
275
C
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8.0 k
≈
40
PNP
MJ11013
MJ11015
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8.0 k
≈
40
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ11012/D
30 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60–120 VOLTS
200 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11014 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ11014 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11015 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11013 POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W)
MJ11014 POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W)
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參數(shù)描述
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