參數(shù)資料
型號： MJ11013
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述： 30 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： MJ11013
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJ11012
MJ11013, MJ11014
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1k ohm)
(VCE = 60 Vdc, RBE = 1k ohm, TC = 150 C)
60
90
—
—
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
MJ11012
MJ11012
—
—
1
5
Collector–Emitter Leakage Current
—
1
mAdc
(IC = 30 Adc, VCE = 5 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
200
—
Vdc
(IC = 20 A, IB = 200 mAdc)
—
3.5
(1) Pulse Test: Pulse Width
=
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11014 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ11014 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11015 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11013 POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W)
MJ11014 POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W)
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參數(shù)描述
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