參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商： MJD117
MJD112 MJD117
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
NPN MJD112
PNP MJD117
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. “On Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 3 V
TJ = 125°C
3 k
0.1
0.6
25
°C
– 55
°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
0.04
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
3 k
0.1
0.6
25
°C
– 55
°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2
5
IC =
0.5 A
1 A
1
3
1
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2
5
1
3
1
20
50
100
VBE @ VCE = 3 V
TC = 125°C
VCE = 3 V
4 A
TJ = 125°C
2 A
TJ = 125°C
IC =
0.5 A
1 A
4 A
2 A
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD117 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD122-1 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251AA
MJD122-I 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD1222 3000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD122 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD117-001 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117-001G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail
MJD117-1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*